環境掃描電子顯微鏡 ESEM
參數：
高真空模式：30 kV時優于1.0 nm；1 kV時優于3.0 nm
低真空模式：30 kV時優于1.3 nm；3 kV時優于3.0 nm。
環境真空模式 (ESEM)：30 kV 時優于 1.3 nm
背散射電子 (BSE) 像分辨率：30 kV時優于2.5 nm
加速電壓： 0.2 kV－30 KV
最大樣品高度：85 mm
最大樣品尺寸：122 mm
•配Oxford Xplore 30能譜儀
•配MM3A-EM納米機械手
•配MIS-EM微注入儀
高真空模式：30 kV時優于1.0 nm；1 kV時優于3.0 nm
低真空模式：30 kV時優于1.3 nm；3 kV時優于3.0 nm。
環境真空模式 (ESEM)：30 kV 時優于 1.3 nm
背散射電子 (BSE) 像分辨率：30 kV時優于2.5 nm
加速電壓： 0.2 kV－30 KV
最大樣品高度：85 mm
最大樣品尺寸：122 mm
•配Oxford Xplore 30能譜儀
•配MM3A-EM納米機械手
•配MIS-EM微注入儀
應用：
微納尺度形貌結構觀測，成分分析
原子力顯微鏡AFM
參數：
•掃描范圍：100 μm×100 μm（可向下兼容）
•真空吸附最大尺寸：直徑200 mm
•掃描范圍：100 μm×100 μm（可向下兼容）
•真空吸附最大尺寸：直徑200 mm
應用：
表面粗糙度測量
•表面形貌表征
•電學性能測量（PFM/EFM)
力陣列測量（F-D Mapping)
•機械性能測量
•力-距離曲線測量
•納米力學測試PinPoint
