類金剛石薄膜沉積系統DLC
參數：
襯底尺寸：8英寸向下兼容
襯底尺寸：8英寸向下兼容
應用：
堅硬的DLC膜可以鍍在低熔點襯底上，提高其耐磨性，防止其刮傷。
等離子體增強原子層沉積系統PE-ALD
參數：
•兼容直徑100 mm至200 mm的晶圓
•基板加熱器最高溫度可達500℃•升溫速率 ≥ 10℃/min
•基板加熱控溫精準度為±5℃
•兼容直徑100 mm至200 mm的晶圓
•基板加熱器最高溫度可達500℃•升溫速率 ≥ 10℃/min
•基板加熱控溫精準度為±5℃
應用：
適用于Al2O3，SiO2，HfO2，TiO2，TaN，AlN，SixNy等材料薄膜制備。
低壓力化學氣相沉積機LPCVD
參數：
•淀積TEOS(SiO2)薄膜工藝：片內/片間均勻性： ≤±3%
•淀積Poly-Si薄膜工藝：片內均勻性：≤±3%/片間均勻性：≤±4% /批間均勻性：≤±3%
•氧化工藝：片內/片間/批間均勻性：≤±3%
•淀積Si3N4薄膜
工藝：片內均勻性：≤±3%/片間均勻性：≤±4% /批間均勻性：≤±3%
•淀積TEOS(SiO2)薄膜工藝：片內/片間均勻性： ≤±3%
•淀積Poly-Si薄膜工藝：片內均勻性：≤±3%/片間均勻性：≤±4% /批間均勻性：≤±3%
•氧化工藝：片內/片間/批間均勻性：≤±3%
•淀積Si3N4薄膜
工藝：片內均勻性：≤±3%/片間均勻性：≤±4% /批間均勻性：≤±3%
應用：
批量制備氧化硅片/氮化硅片/生長多晶硅等。
磁控濺射鍍膜機-介質
參數：
•襯底尺寸：8英寸向下兼容
•ICP反應濺射
•襯底尺寸：8英寸向下兼容
•ICP反應濺射
應用：
•襯底尺寸：8英寸向下兼容
•ICP反應濺射 •濺射各類介質膜
如：氧化硅/氧化鈦/氮化硅等
磁控濺射鍍膜機-金屬
參數：
•襯底尺寸：6英寸向下兼容
•膜厚均勻性: 150 nm±3%
•可以加熱至500℃
•襯底尺寸：6英寸向下兼容
•膜厚均勻性: 150 nm±3%
•可以加熱至500℃
應用：
濺射金屬薄膜，如Au、Pt、Ti、Cr、Al、Ni、Cu、Ag等。
電子束蒸發鍍膜機EB
參數：
•襯底尺寸：8英寸向下兼容
•一爐可鍍10片四寸基片
•襯底尺寸：8英寸向下兼容
•一爐可鍍10片四寸基片
應用：
可制備介質膜，如TiO2、Al2O3、SnO2、SiO2等，以及金屬膜，如 Au、Pt、Cr、Al、Ni、Ta、Nb、Cu等。
化學機械拋光機CMP
參數：
•兼容直徑100 mm、150 mm的晶圓
•SiO2在Si上的Ra：0.186 nm
•高精度：WIWNU ＜ 5%
•兼容直徑100 mm、150 mm的晶圓
•SiO2在Si上的Ra：0.186 nm
•高精度：WIWNU ＜ 5%
應用：
CMP技術最廣泛的應用是在集成電路（IC）和超大規模集成電路（ULSI）中對基體材料硅晶片的拋光。
聚焦離子束電子束雙束顯微鏡FIB
參數：
•電子束分辨率：
0.7 nm at 30 keV STEM
•靈活的5-axis機動平臺
XY范圍110 mm
Z范圍65 mm
旋轉360°
最大樣品寬度尺寸110 mm
•配UltimMax 65能譜儀
•配Nordlys Max電子背散射衍射儀
•電子束分辨率：
0.7 nm at 30 keV STEM
•靈活的5-axis機動平臺
XY范圍110 mm
Z范圍65 mm
旋轉360°
最大樣品寬度尺寸110 mm
•配UltimMax 65能譜儀
•配Nordlys Max電子背散射衍射儀
應用：
具有為各種樣品（包括非導電材料）進行出色的樣品制備和微納加工能力，可用于芯片失效分析，截面分析，EBSD測試，以及TEM制樣等。
