硅通孔（TSV）加工
微納米提供概念驗證及制造
微流控及柔性電極加工及測試
超滑器件加工測試
工藝展示
工藝展示
平臺目前已整合的先進工藝包括
光刻（紫外光刻，激光直寫，電子束光刻，Talbot光刻等）
鍍膜（PVD、CVD、ALD等）
刻蝕（ICP、RIE、IBE、濕法等）
鍵合
CMP
表征測試
封裝
可以承接：材料制備，器件工藝，器件加工，材料測試/器件測試
平臺提供業內通用制造能力
特色工藝——超滑材料相關工藝
平臺主要提供碳材料（石墨，石墨烯，石墨島，DLC碳膜）生長和器件加工工藝。
超滑材料生長
圖形化工藝
批量自動化轉移
封裝測試
工藝展示
大面積激光直寫/微透鏡陣列/256階灰度
微透鏡通常采用激光直寫灰度曝光或光刻膠熱回流工藝，個別要求配套刻蝕轉移微結構至硬質基底。
微透鏡可基于微納米光學角度實現聚焦、成像，光束變換等功能。由于單元尺寸小、集成度高，使其構成多種新型光學系統，完成傳統光學元件無法完成的功能。
納米光學/納米壓印模板/大面積光柵曝光（nm級）
納米壓印模板，一般指普通硅材料模板，結構單元尺寸大多為納米尺度，但圖形面積極大（厘米級），用于納米壓印生產。大部分模板都需要用到電子束曝光配套刻蝕來實現初始模板制作，由于電子束曝光成本高昂，后續通過納米壓印復制模板的工藝來降低生產成本。一般用于AR/VR鏡片，光電或其他光學器件，太陽能電池等。
硅基光電子/超表面/衍射光學元件
硅基光電子器件，多采用硅/氮化硅/鈮酸鋰等基底制備加工，其中SOI較為常用，一般加工光子晶體，光柵，波導，微環，諧振腔等結構。主要有集成度高，以光子代替電子傳遞信息熱損耗小，功率損失低，體積小等優勢。
超透鏡/超結構多為大高寬比結構，通常采用電子束曝光結合刻蝕來實現。衍射光學元件，英文簡稱DOE，其可以保持較高衍射效率的同時對光強分布進行精確控制。
AFM探針懸臂梁
AFM探針懸臂梁是原子力顯微鏡的核心部件，由一端固定、另一端懸著尖銳探針的細長彈性梁構成。其工作原理基于探針與樣品表面之間的相互作用，導致懸臂梁發生微小偏轉。這些偏轉通過激光和光電探測器系統被精確檢測并轉換為電信號，從而反映出樣品的表面形貌和物理性質。懸臂梁的剛度、共振頻率和偏轉靈敏度對AFM的成像質量和測量精度至關重要，使得AFM能夠實現原子級別的高分辨率表面成像和分析。
TSV深硅/硅濕法腐蝕
通過光刻配合深反應刻蝕來實現硅通孔結構的制作，結合電鍍工藝實現金屬填充，或通過CVD實現多晶硅等材料填充。
濕法腐蝕具有反應速率快，各向同性的特征，對某些器件層的釋放以及特定形貌結構制備起著重要作用，如BOE配合臨界干燥可實現大多數硅基懸臂梁器件制作。
小線寬金屬刻蝕/小線寬金屬剝離
小線寬金屬刻蝕是一種微電子制造工藝,它利用化學或物理方法精確去除金屬層，以形成微電子器件中的細小導電線路。小線寬金屬剝離是通過精確的化學或物理方法移除芯片上的細小金屬層。這一過程要求高度的選擇性和控制力，以確保僅移除目標金屬，而不損害其他材料，從而保持器件的性能和完整性。
介質及金屬沉積/原子層沉積
介質及金屬沉積是在芯片上形成絕緣層和導電層的過程。通過化學氣相沉積或物理氣相沉積技術，將介質材料和金屬材料精確地涂覆在硅片表面，以實現器件的絕緣隔離和電路連接。
微納米流道/硅-玻璃陽極鍵合
微流控芯片中常具備微納米流道，便于細胞或者其他液體進行流通和篩選目標結構，不論是微米納米流道，均可以根據不同尺寸選擇不同的曝光方式結合刻蝕或是翻模來實現具備微納米流道器件。多用于液滴微流控，細胞篩選，器官芯片等。
柔性電極
近些年，智能穿戴、醫用植入、電子皮膚等不斷被提出，柔性電子產品也在快速發展中，在醫療，娛樂，航空航天都有著巨大的發展潛力，打造像皮膚一樣柔軟的電極，我司柔性電極一般加工襯底為PI/PET/PVA等，電極材料一般為金銀銅等金屬。
石英刻蝕
石英刻蝕通常指的是使用化學或物理方法去除石英材料表面的過程。石英，也稱為二氧化硅（SiO2），是一種化學穩定性極高的材料，廣泛應用于半導體制造、光纖通信、光學元件等領域。石英刻蝕技術的選擇取決于所需的刻蝕精度、刻蝕速率、刻蝕深度和選擇性等因素在微電子和光電子領域，石英刻蝕技術常用于制造波導、光柵、微流控芯片等精密器件。